STP10NK60Z

Symbol Micros: TSTP10NK60Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 115 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK60Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
55 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3304 0,9322 0,7449 0,7238 0,7003
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Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK60Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
860 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7360
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK60Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück 700+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7003
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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