STP10NK60Z

Symbol Micros: TSTP10NK60Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 115 W; -55 °C ~ 150 °C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK60Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
95 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Nettopreis (EUR) 1,4628 1,0195 0,8655 0,8142 0,7699
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/250
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole