RDF10N65A CREATEK

Symbol Micros: TSTP10NK60ZFP CRE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP10NK60ZFP STMicroelectronics;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: CREATEK
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer: RDF10N65A RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 150+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,6062 0,3820 0,2997 0,2768 0,2631
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Standard-Verpackung:
50/150
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: CREATEK
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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