STP20NM60FP

Symbol Micros: TSTP20NM60FP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 290 mOhm; 20A; 45W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP20NM60FP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
47 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,3226 2,9633 2,7486 2,6086 2,5549
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP20NM60FP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
3350 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,5549
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT

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