STP4NK60Z

Symbol Micros: TSTP4NK60Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP4NK60Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9554 0,7017 0,5623 0,4823 0,4549
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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