STP4NK60Z
Symbol Micros:
TSTP4NK60Z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9647 | 0,7085 | 0,5678 | 0,4870 | 0,4593 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
90 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4939 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4500 stk.
| Anzahl Stück | 450+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4593 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2350 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4593 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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