STP4NK60Z
Symbol Micros:
TSTP4NK60Z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6981 | 0,4419 | 0,3479 | 0,3173 | 0,3032 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1850 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3032 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4750 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3060 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3200 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3032 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole