STP55NF06
Symbol Micros:
TSTP55NF06
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP36NF06; HT55NF06ASZ;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0373 | 0,7620 | 0,6101 | 0,5246 | 0,4937 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP55NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
17344 stk.
| Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4937 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP55NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
10410 stk.
| Anzahl Stück | 1250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4937 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP55NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
14800 stk.
| Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4937 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-04-30
Anzahl Stück: 1000
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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