STP55NF06

Name: TSTP55NF06 TSTP55NF06
Brand: ST
SKU: TSTP55NF06
Price: 0.4905 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTP55NF06

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP36NF06; HT55NF06ASZ;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	18mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

1380 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7655	0,4836	0,3827	0,3484	0,3323

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

38 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5303

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

6793 stk.

Anzahl Stück	350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3662

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

210 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3778

Widerstand im offenen Kanal:	18mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5615	0,3369	0,2590	0,2315	0,2244