STP55NF06

Symbol Micros: TSTP55NF06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP36NF06; HT55NF06ASZ;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
1640 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9114 0,5785 0,4557 0,4156 0,3967
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Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
12812 stk.
Anzahl Stück 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3967
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
10410 stk.
Anzahl Stück 1250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3967
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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