YFW60N06AT TO220 YFW

Symbol Micros: TYFW60N06AT YFW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 60A; 75W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP55NF06;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO220
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW60N06AT RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,5785 0,3471 0,2668 0,2385 0,2312
Standard-Verpackung:
50/500
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO220
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT