STP60NF06 JSMICRO

Symbol Micros: TSTP60NF06 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP60NF06 STMicroelectronics;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 358W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: STP60NF06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8615 0,5414 0,4237 0,4002 0,3743
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 358W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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