STP60NF06 JSMICRO

Symbol Micros: TSTP60NF06 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP60NF06 STMicroelectronics;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 358W
Max. Drainstrom: 110A
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 358W
Max. Drainstrom: 110A
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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