STP6NK90ZFP

Symbol Micros: TSTP6NK90ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Max. Drainstrom: 5,8A
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Max. Drainstrom: 5,8A
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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