STW20NK50Z

Symbol Micros: TSTW20NK50z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 270 mOhm; 20A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NK50Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
172 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,0122 1,5974 1,4164 1,3545 1,3407
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NK50Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,5798
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NK50Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
13413 stk.
Anzahl Stück 120+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,3407
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT