STW20NK50Z
Symbol Micros:
TSTW20NK50z
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 270 mOhm; 20A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,4994 | 1,9205 | 1,6694 | 1,5810 | 1,5624 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW20NK50Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
60 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5885 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW20NK50Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
4140 stk.
| Anzahl Stück | 330+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5624 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW20NK50Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
3590 stk.
| Anzahl Stück | 120+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5624 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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