STW20NK50Z

Symbol Micros: TSTW20NK50z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 270 mOhm; 20A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NK50Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,5342 1,9472 1,6926 1,6031 1,5842
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Standard-Verpackung:
30/300
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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