STW26NM60N

Name: TSTW26NM60N TSTW26NM60N
Brand: ST
SKU: TSTW26NM60N
Price: 1.7409 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTW26NM60N

Gehäuse: TO247

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 165 mOhm; 20A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	165mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

15 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	2,6113	2,0726	1,8397	1,7597	1,7409

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N Gehäuse: TO247

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3186 stk.

Anzahl Stück	90+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,7409

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N Gehäuse: TO247

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5750 stk.

Anzahl Stück	270+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,7409

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N Gehäuse: TO247

Externes Lager:

5970 stk.

Anzahl Stück	120+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,7409

Widerstand im offenen Kanal:	165mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT