STW26NM60N
Symbol Micros:
TSTW26NM60N
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 165 mOhm; 20A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 165mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6128 | 2,0738 | 1,8407 | 1,7607 | 1,7419 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
324 stk.
| Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7419 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
5750 stk.
| Anzahl Stück | 270+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7419 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
3906 stk.
| Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7419 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 165mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole