STW26NM60N
Symbol Micros:
TSTW26NM60N
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 165 mOhm; 20A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 165mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5656 | 2,0363 | 1,8075 | 1,7289 | 1,7104 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
120 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9694 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1586 stk.
| Anzahl Stück | 90+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7104 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
5970 stk.
| Anzahl Stück | 120+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7104 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
5750 stk.
| Anzahl Stück | 270+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7104 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 165mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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