STW26NM60N

Symbol Micros: TSTW26NM60N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 165 mOhm; 20A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,6362 2,0923 1,8572 1,7765 1,7575
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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