STW26NM60N

Symbol Micros: TSTW26NM60N
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 165mOhm; 20A; 140W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 165mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STW26NM60N RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 13,9300 11,5100 10,0700 9,3800 8,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Rezystancja otwartego kanału: 165mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT