TP2510N8-G Microchip Tech
Symbol Micros:
TTP2510n8
Gehäuse: SOT89
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7Ohm; 480mA; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7Ohm |
| Max. Drainstrom: | 480mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
| Gehäuse: | SOT89 |
| Hersteller: | MICROCHIP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Microchip
Hersteller-Teilenummer: TP2510N8-G RoHS
Gehäuse: SOT89 t/r
Auf Lager:
2 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4308 | 1,0932 | 0,9043 | 0,7933 | 0,7532 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7Ohm |
| Max. Drainstrom: | 480mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
| Gehäuse: | SOT89 |
| Hersteller: | MICROCHIP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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