TSC966CW RPG

Symbol Micros: TTSC966cw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
NPN 400V 0,3A 1,0W B>90 SOT223 TSC966CW ; TSC966CW RPG ;
Parameter
Verlustleistung: 1W
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 1W
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN