TSM1NB60CP ROG

Name: TTSM1nb60cp TTSM1nb60cp
Brand: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
SKU: TTSM1nb60cp
Price: 0.1718 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TTSM1nb60cp

Gehäuse: DPAK

N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 10 Ohm; 1A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	39W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM1NB60CP RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4471	0,2458	0,1936	0,1791	0,1718

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM1NB60CP ROG Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1718

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM1NB60CP ROG Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

7500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2269

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM1NB60CP ROG Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

8350 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2364

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	39W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD