TSM2302CX

Symbol Micros: TTSM2302cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; NRND-Artikel und EOL bald; Äquivalent: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXRFG; TSM2302CXRF; TSM2302CX-RFG; LGE2302;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 95mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2302CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
23858 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2784 0,1537 0,1020 0,0852 0,0793
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2302CX RFG Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
79190 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0919
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 95mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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