STP55NF06
Symbol Micros:
TSTP55NF06
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP36NF06; HT55NF06ASZ;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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Standard-Verpackung: 50/200
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