Sensoren (Ergebnisse: 568)
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GN 50.4-HF-20 Elesa+Ganter
Dauermagnet; Hartferrit; Höhe 6 mm; Durchmesser 20 mm; 27 N; Stahl GN 50.4-HF-20-6-4,3
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Rys.GN50.4-HF-20
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PIR-Sensor AM422 SENBA
Versorgungsspannung: 3-15 V, Betriebstemperatur: -20-85 °C, 4 Pins Fenstergröße 4,2x5,2mm, H=18mm
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rys.CZAM422
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G18-3A10PC
Fotoelektrischer Sensor; diffus; Bereich: 0-10 cm; PNP/NO+NC; 10-30 VDC; M18; zylindrisch; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Plastik; IP54
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Rys.G18-3A10PC
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GN 50.4-HF-50 Elesa+Ganter
Dauermagnet; Hartferrit; Höhe 10 mm; Durchmesser 50 mm; 180 N; Stahl GN 50.4-HF-50-10-8,5
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Rys.GN50.4-HF-50
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T4016FBP
Ultraschallwandler, offene Apertur, Sender, 40 kHz, Kunststoffgehäuse, schwarz Φ=16 mm, 120 dB, 2000 pF
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Rys.FB4016
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LM5-3001NA
Induktiver Sensor; Bereich: 0-1 mm; NPN/NO; 10-30 VDC; M5, zylindrisch; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷70°C; Metall; IP67
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Rys.LM5-3001NA
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R4016FBP
Ultraschallwandler, offene Apertur, Empfänger, 40 kHz, Kunststoffgehäuse, schwarz Φ=16mm, -63dB, 2000pF
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Rys.FB4016
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VD6281 Umgebungssensor STMicroelectronics
BGA 6pin 1,83x1x0,55mm ; I2C ; Lux-Bereich 0,01 Lux ; 1,8 V; -30+85C;
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BGA06 (1.83x1x0.55)
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400ST160 PROWAVE
Ultraschallsensor, offene Bauweise, Sender + Empfänger, 40kHz Φ = 16,2mm, 120dB, 2400 pF
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Rys.CZ 400ST160
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CM35-3025PC
Näherungssensor; Bereich: 0-25 mm; PNP/NO+NC; 10-30 VDC; M35, zylindrisch; Draht: 1,5m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷70°C; ABS; IP54
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Rys.CM35
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400PT160 PROWAVE
Ultraschallsensor, offene Bauweise, Sender + Empfänger, 40kHz Φ = 16,2mm, 117dB, 2400pF
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Rys.CZ 400PT160
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BH1745NUC-E2 Rohm
2,3 V ~ 3,6 V, 260 uA bei 2,5 V, SMD, 8 Pins, WSON008X21 Betriebstemperatur: -40°C~85°C
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Rys.BH1745NUC-E2
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VCNL3020-GS08 Näherungssensor Vishay
50mW; 16 bit I²C; SMD; 2,5~3,6V; 0,2m; 1,5uA; Betriebstemperatur: -25°C~85°; Abmessungen: 4,9x2,4x0,83mm
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Rys.VCNL4010
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GN 50.3-ND-25-M6 ELESA+GANTER
Dauermagnet; Neodym; Höhe 7 mm; Durchmesser 25 mm; 200N; Stahl; Kolbenlänge: 10 mm; Außengewinde: M6
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Rys.GN 50.3-ND-25-M6
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LM8-3001PA
Induktiver Sensor; Bereich: 0-1 mm; PNP/NO; 10-30 VDC; M8, zylindrisch; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷75°C; Metall; IP67
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Rys.LM8-3001PA
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GN 50.3-ND-32-M6 ELESA+GANTER
Dauermagnet; Neodym; Höhe 7 mm; Durchmesser 32 mm; 350N; Stahl; Kolbenlänge: 10 mm; Außengewinde: M6
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Rys.GN 50.3-ND-32-M6
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VL53L1CXV0FY/1 STM-Sensor
2,6 ~ 3,5 V; SMD; Wellenlänge: 940 nm; Schaltabstand: 4m; LGA 12 Betriebstemperatur: -20°C~85°C; Abmessungen: 4,9 (L) x 2,5 (B) x 1,56 (H) mm
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Rys.VL53L1CXV0FY/1
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RBS310911
Neigungs- und Vibrationssensor, optisch, SMT, Neigungswinkel: 30 ± 10° Diode: 75mW/50mA/5V; Fototransistor: 100 mW/20 mA/30 V, Temperatur: -25 ÷ 85 °C
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OQ-RBS360200
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RBS310912
Neigungs- und Vibrationssensor, optisch, SMT, Neigungswinkel: 20 ± 10° Diode: 75mW/50mA/5V; Fototransistor: 100 mW/20 mA/30 V, Temperatur: -25 ÷ 85 °C
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OQ-RBS360200
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PIR-Sensor SMD S16-L211D SENBA
Versorgungsspannung: 2,7-3,3 V, Betriebstemperatur: -30-+70 °C Empfindlichkeit: 120uV
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rys.CZS16-L211D
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VL53L8CXV0GC/1 STM-Sensor
3,13 ~ 3,47; 0 ~ 1200 mm; Wellenlänge: 940 nm; 1000 kHz; I2C; SPI; Betriebstemperatur: -30°C~85°C; Abmessungen: 6,4(L)x3(B)x1,75(H)mm
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Rys.VL53L8CXV0GC/1
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LM12-2004A
Induktiver Sensor; Bereich: 0-4 mm; SCR/NO; 90-250 VAC; M12, zylindrisch; Draht: 2m; 300mA; Betriebstemperatur: -25°C÷75°C; Metall; IP67
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Rys.LM12-2004A
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G50-3B4NC
Fotoelektrischer Sensor; retroreflektierend (mit Spiegel); Reichweite: 0-4 m; NPN/NO+NC; 10-30 VDC; M50; Quader; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Plastik; IP54
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Rys.G50-3B4NC
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Magnetsensor MK06-7-B
Abmessungen: 19,78x4,2x3,3mm; Leistung: 10 W; Maximale Spannung: 200 V; Schaltstrom: 0,5A Betriebstemperatur: -20 °C bis 85 °C
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Rys.CZ MK06-7-B
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G50-3B4PC
Fotoelektrischer Sensor; retroreflektierend (mit Spiegel); Reichweite: 0-4 m; PNP/NO+NC; 10-30 VDC; M50; Quader; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Plastik; IP54
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Rys.G50-3B4PC
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RBS311111
Neigungs- und Vibrationssensor, optisch, THT, Neigungswinkel: 30±10° Diode: 75mW/50mA/5V; Fototransistor: 100 mW/20 mA/30 V, Temperatur: -25 ÷ 85 °C
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OQ-RBS360300
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Rys.APDS9006-020
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RBS311113
Neigungs- und Vibrationssensor, optisch, THT, Neigungswinkel: 15±10° Diode: 75mW/50mA/5V; Fototransistor: 100 mW/20 mA/30 V, Temperatur: -25 ÷ 85 °C
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OQ-RBS360300
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Magnet NDFEB
Magnet Neodym NdFeB, 10 x 5 x 1,9 mm, 115 mT, 0,78 g MMS1052
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Rys.NDFEB10x5
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G63-3E03PC
Fotoelektrischer Sensor; Strahl (Sender-Empfänger); Bereich: 0-3 cm; PNP/NO+NC; 10-30 VDC; M63; Gabel; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Plastik; IP54
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Rys.G63-3E03PC
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