Verarmungs-Feldeffekttransistoren von ARK Microelectronics
Verarmungs-Feldeffekttransistoren von ARK Microelectronics
Verarmt? Nur dem Namen nach. In der Praxis ist es ein Transistor, der sofort einsatzbereit ist und nicht auf ein Steuersignal wartet.
Verarmungs-FETs (Depletion Mode) – warum sollte man sie kennen?
Auf dem Halbleitermarkt konzentriert sich die überwiegende Mehrheit der Hersteller auf Anreicherungs-FETs (Enhancement Mode), also die sogenannten „normalerweise ausgeschalteten“ Transistoren. Diese Bauelemente benötigen eine Gate-Steuerspannung, um leitend zu werden. Dieses Verhalten ist bequem und sicher, weshalb es zum Standard in der Leistungselektronik und in digitalen Schaltungen geworden ist.
Daneben existiert jedoch eine weniger bekannte, aber sehr wertvolle Gruppe von Transistoren – die Verarmungs-FETs (Depletion Mode), oft als „normalerweise eingeschaltet“ bezeichnet. Bei null Gate-Source-Spannung leiten sie bereits Strom; zum Abschalten ist erst eine entsprechende Steuerspannung erforderlich. Sie sind die beste Wahl für Anwendungen, die sofort nach dem Anlegen der Versorgungsspannung funktionieren müssen oder bei denen Verluste in Start- und Hochlaufkreisen minimiert werden sollen.
Warum sind Verarmungs-FETs weniger verbreitet?
Der übliche Designstandard in der Elektronik sieht einen sicheren, standardmäßig ausgeschalteten Zustand der Bauelemente vor. Genau das bieten Anreicherungs-MOSFETs, weshalb sie den Markt dominieren. Ihre Massenproduktion ist optimiert und ermöglicht extrem niedrige RDS(ON)-Werte sowie hervorragende Schaltparameter. Verarmungs-FETs hingegen sind spezialisierte Produkte, die dann eingesetzt werden, wenn der „normalerweise eingeschaltete“ Charakter besondere Vorteile bringt. Daher ist ihr Markt kleiner – doch in bestimmten Anwendungen sind sie die perfekte Lösung.
Hauptvorteile von Verarmungs-FETs
- Standardmäßige Leitfähigkeit („normally-on“) – Bereits bei null Gate-Spannung arbeitet der Transistor wie ein geschlossener Schalter oder Widerstand. Das vereinfacht Schaltungen, die ohne zusätzliche Steuerung anlaufen müssen.
- Ideal für Start- und Hochlaufkreise – In Schaltnetzteilen können sie Startwiderstände ersetzen, den Leistungsverlust senken und die Anzahl der Bauteile reduzieren. Dadurch wird das System effizienter und zuverlässiger.
- Einfache Stromquellen und konstante Lasten – Dank ihrer Strom-Spannungs-Charakteristik eignen sie sich als kompakte, stabile Stromquellen oder aktive Widerstände in analogen Schaltungen.
- Sicherheit und „Fail-Safe“-Funktion – In vielen Anwendungen sorgt ein Verarmungs-FET für Leitfähigkeit, selbst wenn die Steuerschaltung noch nicht aktiv ist. Er kann als „notfalls eingeschaltetes“ Element dienen und erhöht so die Systemrobustheit.
- Günstige Eigenschaften für Hochfrequenzschaltungen – Geringe Eingangskapazitäten machen bestimmte Modelle für Funk- und Kommunikationsanwendungen geeignet
Micros ist als autorisierter Vertreter von ARK Microelectronics in Polen tätig und bietet Zugang zu den originalen Komponenten dieses Herstellers. Unser Status wird durch ein offizielles Zertifikat bestätigt:

ARK Microelectronics – ein Spezialist für Verarmungs-FETs
ARK Microelectronics ist das einzige Unternehmen in China, das sich konsequent auf die Entwicklung und Konstruktion von Verarmungs-FETs konzentriert. Während die meisten Halbleiterhersteller ausschließlich Standardlösungen im Enhancement Mode anbieten, hat sich ARK seit Jahren auf diese technologische Nische spezialisiert, die besonderes Know-how und dedizierte Produktionsprozesse erfordert. Mit einer starken Forschungs- und Entwicklungsbasis — erfahrenen Ingenieuren mit langjähriger Branchenerfahrung sowie enger Zusammenarbeit mit führenden technischen Hochschulen in China und weltweit — verfügt das Unternehmen über nahezu 70 Patente und vollständige geistige Eigentumsrechte an seinen Produkten. Dadurch hat ARK Microelectronics eine führende Position auf dem chinesischen Markt erreicht und bietet eine echte Alternative zu den Transistoren der weltweit führenden Hersteller.
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Symbol |
Gehäuse |
VDS |
ID |
RDS(ON) |
PD |
Entsprechung für: |
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SOT223 |
100V |
300mA |
3Ω |
1,5W |
BSP129 |
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SOT223 |
600V |
150mA |
40Ω |
1,5W |
BSP135 |
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SOT223 |
100V |
400mA |
3Ω |
1,5W |
BSP149 |
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SOT223 |
600V |
80mA |
150Ω |
1,5W |
BSP135 |
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SOT223 |
600V |
100mA |
60Ω |
1,5W |
BSP135 |
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SOT23 |
60V |
20mA |
2,5Ω |
500mW |
- |
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SOT23 |
100V |
100mA |
30Ω |
500mW |
BSS126 |
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SOT23 |
150V |
100mA |
25Ω |
500mW |
BSS169 |
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SOT23 |
150V |
100mA |
25Ω |
500mW |
BSS159N, BSS169 |
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SOT23 |
150V |
200mA |
15Ω |
500mW |
BSS169, MMBF4393 |
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SOT23 |
150V |
200mA |
15Ω |
500mW |
BSS169, MMBF4393 |
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SOT23 |
100V |
200mA |
6Ω |
500mW |
BSS169 |
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SOT23 |
600V |
20mA |
700Ω |
500mW |
BSS126 |
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SOT23 |
600V |
20mA |
150Ω |
500mW |
BSS126 |
Tabelle 1. ARK-Microelectronics-Transistoren im Micros-Angebot
