Pamięci DRAM (wyszukane: 14)
Produkt | Koszyk | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT41K512M8DA-107 XIT:P
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
|
|||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT41K512M8DA-107 XIT:P RoHS Obudowa dokładna: FBGA78(9x10.5) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
IS43TR16128BL-15HBLI
16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 1066MHz; -40~95°C; Odpowiednik: IS43TR16128BL-15HBLI-TR
|
|||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS43TR16128BL-15HBLI RoHS Obudowa dokładna: BGA96 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
KM41256AP-15
1-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
|||||||||||||
Producent:
Samsung Symbol Producenta: KM41256-15 Obudowa dokładna: PDIP16 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Producent:
Samsung Symbol Producenta: KM41256-15 Obudowa dokładna: PDIP16 |
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
KM424C257Z-6
4-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
|||||||||||||
Producent:
Samsung Symbol Producenta: KM424C257Z-6 Obudowa dokładna: ZIP28 |
Stan magazynowy:
9 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 11 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Producent:
Samsung Symbol Producenta: KM424C257Z-6 Obudowa dokładna: ZIP28 |
Stan magazynowy:
26 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 13 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
MB81C4256A-60P
4-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
|||||||||||||
Producent:
Fujitsu Symbol Producenta: MB81C4256A-60P Obudowa dokładna: PDIP20 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/60 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
AS4C1M16S-7TCN Alliance Memory, Inc.
16-bit Memory IC; 1Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 143MHz; 0~70°C; Odpowiednik: AS4C1M16S-7TCNTR;
|
|||||||||||||
Producent:
ALLIANCE Symbol Producenta: AS4C1M16S-7TCN RoHS Obudowa dokładna: TSOP50-44 |
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
GM71C16403CJ-5
4-bit Memory IC; 4Mb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
|||||||||||||
Producent:
HYNIX Symbol Producenta: GM71C16403CJ-5 RoHS Obudowa dokładna: SOJ26-24 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
GM71C16403CJ-6
4-bit Memory IC; 4Mb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
|||||||||||||
Producent:
HYNIX Symbol Producenta: GM71C16403CJ-6 RoHS Obudowa dokładna: SOJ26-24 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
IS42S16800F-7TL ISSI
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA IS42S16800F-7TL-TR
|
|||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S16800F-7T RoHS Obudowa dokładna: TFBGA54(8x8) |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
IS42S32800J-6TL
32-bit Memory IC; 8Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 166MHz; 0~70°C; Odpowiednik: IS42S32800J-6TLI#; IS42S32800J-6TLI-TR; IS42S32800J-6TL-TR;
|
|||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S32800J-6TL RoHS Obudowa dokładna: TFBGA96(9x13) |
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
IS43TR16128B-125KBL
16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 1066MHz; 0~95°C; Odpowiednik: IS43TR16128B-125KBL-TR;
|
|||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS43TR16128B-125KBL RoHS Obudowa dokładna: TFBGA96(9x13) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 160 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
IS45S32400F-7TLA1
32-bit Memory IC; 4Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 143MHz; -40~85°C; Odpowiednik: IS45S32400F-7TLA1-TR;
|
|||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS45S32400F-7TLA1 RoHS Obudowa dokładna: TFBGA84 |
Stan magazynowy:
43 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 43 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
NT5CC128M16IP-DI
16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 800MHz; -40~95°C;
|
|||||||||||||
Producent:
NANYA Symbol Producenta: NT5CC128M16IP-DI RoHS Obudowa dokładna: BGA96 |
Stan magazynowy:
6 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
UT51C164JC-35
16-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
|||||||||||||
Producent:
UTC Symbol Producenta: UT51C164JC-35 Obudowa dokładna: SOJ40 |
Stan magazynowy:
357 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 17 Ilość (wielokrotność 1) |