Pamięci DRAM (wyszukane: 37)

1  2    
Produkt Koszyk
IS43TR16128BL-15HBLI 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) IS43TR16128BL-15HBLI-TR
IS43TR16128BL-15HBLI BGA96
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc.
Symbol Producenta:
IS43TR16128BL-15HBLI RoHS
Obudowa dokładna:
BGA96
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 27,9700 23,7400 21,1500 19,8400 19,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
41256/ 150 1x256Kb 150ns
41256/ 150 PDIP16
Producent:
Samsung
Symbol Producenta:
KM41256AP-15
Obudowa dokładna:
PDIP16
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 3+ 5+ 25+
cena netto (PLN) 4,6600 3,6800 3,2800 2,8900 2,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
 
Producent:
Samsung
Symbol Producenta:
KM41256-15
Obudowa dokładna:
PDIP16
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 3+ 5+ 25+
cena netto (PLN) 4,6600 3,6800 3,2800 2,8900 2,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
 
Producent:
Samsung
Symbol Producenta:
KM41256-15
Obudowa dokładna:
PDIP16
Stan magazynowy:
1 szt.
Ilość szt. 1+
cena netto (PLN) 2,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Ilość (wielokrotność 1)
424C257 256Kbx4 60ns ->KM424C257Z
424C257 ZIP28
Producent:
Samsung
Symbol Producenta:
KM424C257Z-6
Obudowa dokładna:
ZIP28
Stan magazynowy:
11 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 3+ 5+ 11+
cena netto (PLN) 29,2500 25,3100 23,5800 21,8400 19,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
11
Ilość (wielokrotność 1)
 
Producent:
Samsung
Symbol Producenta:
KM424C257Z-6
Obudowa dokładna:
ZIP28
Stan magazynowy:
26 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 13+ 39+ 117+
cena netto (PLN) 29,2500 24,0700 21,7800 20,5800 19,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
13
Ilość (wielokrotność 1)
44256-60 ->MB81C4256A-60P
44256-60 PDIP28
Producent:
Fujitsu
Symbol Producenta:
MB81C4256A-60P
Obudowa dokładna:
PDIP20
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 3+ 5+ 15+
cena netto (PLN) 15,6000 13,5400 12,6400 11,7400 10,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
15
Ilość (wielokrotność 1)
 
Producent:
Fujitsu
Symbol Producenta:
MB81C4256A-60P
Obudowa dokładna:
PDIP20
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 60+ 180+
cena netto (PLN) 15,6000 12,4700 11,2500 10,7500 10,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/60
Ilość (wielokrotność 1)
AS4C1M16S-7TCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP SDRAM 16Mb (1M x 16) 3V-3.6V 0+70°C 50-TSOP II AS4C1M16S-7TCNTR
AS4C1M16S-7TCN Alliance Memory, Inc. TSOP50-44
Producent:
ALLIANCE
Symbol Producenta:
AS4C1M16S-7TCN RoHS
Obudowa dokładna:
TSOP50-44
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 11,5200 10,0200 8,1400 7,5400 7,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
AS4C8M16SA-6TIN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP (AS4C8M16S-6TIN TSOP54 RoHS MPQ108 OBSOLETE) AS4C8M16SA-6TINTR
AS4C8M16SA-6TIN Alliance Memory, Inc. TSOP54
Producent:
ALLIANCE
Symbol Producenta:
AS4C8M16SA-6TIN RoHS
Obudowa dokładna:
TSOP54
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 13,6200 11,2600 9,8700 9,1900 8,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
GM71C16403CJ-5 SOJ24 4,194,304 Word x 4 Bit CMOS Dynamic RAM
GM71C16403CJ-5 SOJ24 SOJ26-24
Producent:
HYNIX
Symbol Producenta:
GM71C16403CJ-5 RoHS
Obudowa dokładna:
SOJ26-24
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 19,3000 16,2500 14,4100 13,5000 12,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
GM71C16403CJ-6 SOJ24 4,194,304 Word x 4 Bit CMOS Dynamic RAM
GM71C16403CJ-6 SOJ24 SOJ26-24
Producent:
HYNIX
Symbol Producenta:
GM71C16403CJ-6 RoHS
Obudowa dokładna:
SOJ26-24
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 13,9200 11,5100 10,0800 9,3900 8,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
IS42S32800J-6TL ISSI DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA IS42S32800J-6TLI# IS42S32800J-6TLI-TR IS42S32800J-6TL-TR
IS42S32800J-6TL ISSI TFBGA96(9x13)
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc.
Symbol Producenta:
IS42S32800J-6TL RoHS
Obudowa dokładna:
TFBGA96(9x13)
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 20+ 40+ 100+
cena netto (PLN) 35,8500 29,4500 25,9400 25,1200 24,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
IS43TR16128B-125KBL ISSI DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA IS43TR16128B-125KBL-TR
IS43TR16128B-125KBL ISSI TFBGA96(9x13)
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc.
Symbol Producenta:
IS43TR16128B-125KBL RoHS
Obudowa dokładna:
TFBGA96(9x13)
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 40+ 160+
cena netto (PLN) 24,4800 20,6900 18,4100 17,0800 16,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
160
Ilość (wielokrotność 1)
IS45S32400F-7TLA1 ISSI DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA IS45S32400F-7TLA1-TR
IS45S32400F-7TLA1 ISSI TFBGA84
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc.
Symbol Producenta:
IS45S32400F-7TLA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TFBGA84
Stan magazynowy:
43 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 43+ 129+
cena netto (PLN) 21,1300 17,8300 15,8500 14,6400 14,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
43
Ilość (wielokrotność 1)
NT5CC128M16IP-DI NANYA DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 800MHz Automotive 96-Pin VFBGA OBSOLETE;
NT5CC128M16IP-DI NANYA BGA96
Producent:
NANYA
Symbol Producenta:
NT5CC128M16IP-DI RoHS
Obudowa dokładna:
BGA96
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 14,7300 12,1700 10,6700 9,9300 9,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
UT51C164JC-35 EDO DRAM, 4Mbit (256K x 16-bit), 35ns, 5V, 0÷70°C
UT51C164JC-35 SOJ40
Producent:
UTC
Symbol Producenta:
UT51C164JC-35
Obudowa dokładna:
SOJ40
Stan magazynowy:
357 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 17+ 68+ 272+
cena netto (PLN) 6,8200 4,9400 4,1000 3,7400 3,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
17
Ilość (wielokrotność 1)
MT41K512M8DA-107 XIT:P DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
Pozycja dostępna na zamówienie
MT41K512M8DA-107 XIT:P FBGA78(9x10.5)
   
   
CS66DR2563W-50 TFBGA60 256M(16Mx16)LPDDR1, 5ns, W-grade,(Vdd=1.7V~1.95V), RoHS 60TFBGA (8x9 mm)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS66DR2563W-50 TFBGA60 TFBGA60
   
   
CS66DR5123W-50 TFBGA60 512M(32Mx16)LPDDR1, 5ns, W-grade,(Vdd=1.7V~1.95V), RoHS 60TFBGA (8x9 mm)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS66DR5123W-50 TFBGA60 TFBGA60
   
   
CS63DR5125W-50 TFBGA90 512M(16Mx32)LPDDR1, 5ns, W-grade, (Vdd=1.7V~1.95V), RoHS 90TFBGA (8x13 mm)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS63DR5125W-50 TFBGA90 TFBGA90 (8x13)
   
   
CS63DS1G6W-25 TFBGA134 1G(32Mx32)LPDDR2, 2.5ns, W-grade, (Vdd=1.2V), RoHS 134TFBGA (10x11.5x1.0 mm)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS63DS1G6W-25 TFBGA134 TFBGA134(10x11.5)
   
   
CS56SD64NC-6 TSOP-II-54 64M(4Mx16), 6ns, C-grade (Vcc=3.0V~3.6V), RoHS 54TSOP-II (400 mil)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS56SD64NC-6 TSOP-II-54 TSOP54
   
   
CS56SD64NI-6 TSOP-II-54 64M(4Mx16), 6ns, I-grade (Vcc=3.0V~3.6V), RoHS 54TSOP-II (400 mil)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS56SD64NI-6 TSOP-II-54 TSOP54
   
   
CS56SD128NC-6 TSOP-II-54 128M(8Mx16), 6ns, C-grade (Vcc=3.0V~3.6V), RoHS 54TSOP-II (400 mil)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS56SD128NC-6 TSOP-II-54 TSOP54
   
   
CS56SD128NI-6 TSOP-II-54 128M(8Mx16), 6ns, I-grade (Vcc=3.0V~3.6V), RoHS 54TSOP-II (400 mil)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS56SD128NI-6 TSOP-II-54 TSOP54
   
   
CS56SD256NC-6 TSOP-II-54 256M(16Mx16), 6ns, C-grade (Vcc=3.0V~3.6V), RoHS 54TSOP-II (400 mil)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS56SD256NC-6 TSOP-II-54 TSOP54
   
   
CS56SD256NI-6 TSOP-II-54 256M(16Mx16), 6ns, I-grade (Vcc=3.0V~3.6V), RoHS 54TSOP-II (400 mil)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS56SD256NI-6 TSOP-II-54 TSOP54
   
   
CS56SD512NC-6 TSOP-II-54 512M(32Mx16), 6ns, C-grade (Vcc=2.7V~3.6V), RoHS 54TSOP-II (400 mil)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS56SD512NC-6 TSOP-II-54 TSOP54
   
   
CS56SD512NI-6 TSOP-II-54 512M(32Mx16), 6ns, I-grade (Vcc=2.7V~3.6V), RoHS 54TSOP-II (400 mil)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS56SD512NI-6 TSOP-II-54 TSOP54
   
   
CS56SD5129C-6 TFBGA54 512M(32Mx16), 6ns, C-grade (Vcc=2.7V~3.6V), RoHS 54TFBGA(8x8mm)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS56SD5129C-6 TFBGA54 TFBGA54(8x8)
   
   
CS56SD5129I-6 TFBGA54 512M(32Mx16), 6ns, C-grade (Vcc=2.7V~3.6V), RoHS 54TFBGA(8x8mm)(10x11.5x1.0 mm)
Pozycja dostępna na zamówienie
CS56SD5129I-6 TFBGA54 TFBGA54(8x8)
   
   
CS66DT1G6Q5C-8K TFBGA96 1G(64Mx16),1600Mhz, C-grade(Vdd=1.5V), RoHS 96TFBGA
Pozycja dostępna na zamówienie
CS66DT1G6Q5C-8K TFBGA96 TFBGA96(9x13)
   
   
CS66DT2G6Q5C-8K TFBGA96 2G(128Mx16), 1600Mhz, C-grade(Vdd=1.5V), RoHS 96TFBGA
Pozycja dostępna na zamówienie
CS66DT2G6Q5C-8K TFBGA96 TFBGA96(9x13)
   
   
1  2