Pamięci DRAM (wyszukane: 14)
Produkt | Koszyk |
Producent
|
Architektura
|
Pamięć RAM
|
Zakres napięcia zasilania
|
Przetwornik A/D
|
Przetwornik D/A
|
Interfejs UART/USART
|
Interfejs SPI
|
Interfejs TWI (I2C)
|
Interfejs CAN
|
Interfejs ETHERNET
|
Interfejs USB
|
Interfejs CRYPT
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT41K512M8DA-107 XIT:P
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
|
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT41K512M8DA-107 XIT:P RoHS Obudowa dokładna: FBGA78(9x10.5) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
MICRON | 8-bit | 512MB | 1,23V~1,45V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 95°C | FBGA78(9x10.5) | ||||||||||||
IS43TR16128BL-15HBLI
16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 1066MHz; -40~95°C; Odpowiednik: IS43TR16128BL-15HBLI-TR
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 16-bit | 128MB | 1,283~1,45V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 95°C | BGA96 | ||||||||||||
KM41256AP-15
1-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
16 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 25 Ilość (wielokrotność 1) |
SAMSUNG | 1-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | PDIP16 | ||||||||||||
KM424C257Z-6
4-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C; ->KM424C257Z
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 11 Ilość (wielokrotność 1) |
SAMSUNG | 4-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | ZIP28 | ||||||||||||
Stan magazynowy:
26 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 13 Ilość (wielokrotność 1) |
SAMSUNG | 4-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | ZIP28 | ||||||||||||
MB81C4256A-60P
4-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C; ->MB81C4256A-60P
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 20/60 Ilość (wielokrotność 1) |
Fujitsu | 4-bit | 256kB | 4.5~5.5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | PDIP28 | ||||||||||||
AS4C1M16S-7TCN Alliance Memory, Inc.
16-bit Memory IC; 1Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 143MHz; 0~70°C; Odpowiednik: AS4C1M16S-7TCNTR;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
Alliance Memory | 16-bit | 1MB | 3.0~3.6V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | TSOP50-44 | ||||||||||||
GM71C16403CJ-5
4-bit Memory IC; 4Mb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1 Ilość (wielokrotność 1) |
Hynix | 4-bit | 4MB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | SOJ26-24 | ||||||||||||
GM71C16403CJ-6
4-bit Memory IC; 4Mb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1 Ilość (wielokrotność 1) |
Hynix | 4-bit | 4MB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | SOJ26-24 | ||||||||||||
IS42S16800F-7TL ISSI
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA IS42S16800F-7TL-TR
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 16-bit | 128MB | 3V~3,6V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | TFBGA54(8x8) | ||||||||||||
IS42S32800J-6TL ISSI
32-bit Memory IC; 8Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 166MHz; 0~70°C; Odpowiednik: IS42S32800J-6TLI#; IS42S32800J-6TLI-TR; IS42S32800J-6TL-TR;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S32800J-6TL RoHS Obudowa dokładna: TFBGA96(9x13) |
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 32-bit | 8MB | 3.0~3.6V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | TFBGA96(9x13) | ||||||||||||
IS43TR16128B-125KBL
16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 1066MHz; 0~95°C; Odpowiednik: IS43TR16128B-125KBL-TR;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 160 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 16-bit | 128MB | 1,283~1,45V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 95°C | TFBGA96(9x13) | ||||||||||||
IS45S32400F-7TLA1
32-bit Memory IC; 4Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 143MHz; -40~85°C; Odpowiednik: IS45S32400F-7TLA1-TR;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
43 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 43 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 32-bit | 4MB | 3.0~3.6V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 85°C | TFBGA84 | ||||||||||||
NT5CC128M16IP-DI
16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 800MHz; -40~95°C; OBSOLETE;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Nanya | 16-bit | 128MB | 1,283~1,45V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 95°C | BGA96 | ||||||||||||
UT51C164JC-35
16-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
UTC Symbol Producenta: UT51C164JC-35 Obudowa dokładna: SOJ40 |
Stan magazynowy:
357 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 17 Ilość (wielokrotność 1) |
Utron | 16-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | SOJ40 |
Pamięci DRAM
Pamięć DRAM (z ang. Dynamic Random Access Memory) to ważna składowa nowoczesnych układów elektronicznych. Dzięki unikalnej zdolności do szybkiego przechowywania i odczytu danych, kości pamięci DRAM stanowią serce wielu urządzeń, od serwerów obsługujących ogromne bazy danych, po kompaktowe urządzenia mobilne, gdzie liczy się każdy ułamek sekundy. Wybierając pamięć DRAM od pewnego, renomowanego producenta, inwestujesz w rozwiązanie gwarantujące niezawodność i wydajność doskonale dopasowaną do Twoich potrzeb.
Czym jest i do czego służy pamięć DRAM?
Pamięć DRAM, czyli Dynamiczna Pamięć o Swobodnym Dostępie, jest jednym z najważniejszych typów pamięci stosowanych w komputerach, serwerach oraz innych zaawansowanych urządzeniach elektronicznych. Jej główną funkcją jest tymczasowe przechowywanie danych, które właśnie dzięki niej mogą być szybko zapisywane i odczytywane. Użycie pamięci DRAM znacząco przyspiesza działanie wielu systemów, umożliwiając jednoczesne, a mimo to płynne wykonywanie rozmaitych zadań.
Jak działają kości pamięci DRAM?
Pamięć DRAM działa na zasadzie przechowywania danych w kondensatorach, które dla prawidłowego funkcjonowania i utrzymania zapisanych w nich danych, muszą być regularnie odświeżane. To właśnie z uwagi na ten proces odświeżania danych, pamięć DRAM nazywamy pamięcią „dynamiczną”. Ważną zaletą kości DRAM jest to, iż charakteryzują się dużą gęstością zapisu, umożliwiając przechowywanie większej ilości danych na mniejszej powierzchni. Ta ich zdolność przekłada się z kolei na efektywność i wydajność całych układów, w których pamięć DRAM jest stosowana.
Czym należy się kierować przy wyborze pamięci DRAM?
Wybierając kości pamięci DRAM, powinieneś zwrócić uwagę przede wszystkim na takie aspekty jej funkcjonowania, jak:
- pojemność pamięci – ta zawsze musi być dostosowana do potrzeb tej aplikacji, w której dana kość będzie używana;
- przepustowość – im wyższa przepustowość, tym szybsze przetwarzanie danych. Wartość ta jest kluczowa zwłaszcza w aplikacjach wymagających dużej wydajności;
- napięcie zasilania – wybór pamięci o odpowiednim napięciu potrafi znacząco wpłynąć na efektywność energetyczną całego układu;
- kompatybilność – upewnij się, że wybrana przez Ciebie pamięć DRAM jest kompatybilna z pozostałymi komponentami Twojego systemu.
Oferowane przez naszą hurtownię kości pamięci DRAM spełniają najwyższe standardy jakości, zapewniając Ci niezawodność i wydajność nawet w najbardziej wymagających aplikacjach. Sprawdź naszą ofertę i znajdź pamięć DRAM idealnie dopasowaną do Twoich potrzeb.