Pamięci DRAM (wyszukane: 13)
Produkt | Koszyk |
Producent
|
Architektura
|
Pamięć RAM
|
Zakres napięcia zasilania
|
Przetwornik A/D
|
Przetwornik D/A
|
Interfejs UART/USART
|
Interfejs SPI
|
Interfejs TWI (I2C)
|
Interfejs CAN
|
Interfejs ETHERNET
|
Interfejs USB
|
Interfejs CRYPT
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT41K512M8DA-107 XIT:P
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
|
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MICRON Symbol Producenta: MT41K512M8DA-107 XIT:P RoHS Obudowa dokładna: FBGA78(9x10.5) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Micron | 8-bit | 512MB | 1,23V~1,45V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 95°C | FBGA78(9x10.5) | ||||||||||||
KM41256AP-15
1-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
16 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 25 Ilość (wielokrotność 1) |
Samsung | 1-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | PDIP16 | ||||||||||||
KM424C257Z-6
4-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Samsung Symbol Producenta: KM424C257Z-6 Obudowa dokładna: ZIP28 |
Stan magazynowy:
9 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 11 Ilość (wielokrotność 1) |
Samsung | 4-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | ZIP28 | ||||||||||||
Producent:
Samsung Symbol Producenta: KM424C257Z-6 Obudowa dokładna: ZIP28 |
Stan magazynowy:
26 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 13 Ilość (wielokrotność 1) |
Samsung | 4-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | ZIP28 | ||||||||||||
MB81C4256A-60P
4-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 20/60 Ilość (wielokrotność 1) |
Fujitsu | 4-bit | 256kB | 4.5~5.5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | PDIP28 | ||||||||||||
AS4C1M16S-7TCN Alliance Memory, Inc.
16-bit Memory IC; 1Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 143MHz; 0~70°C; Odpowiednik: AS4C1M16S-7TCNTR;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
Alliance memory | 16-bit | 1MB | 3.0~3.6V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | TSOP50-44 | ||||||||||||
GM71C16403CJ-5
4-bit Memory IC; 4Mb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HYNIX Symbol Producenta: GM71C16403CJ-5 RoHS Obudowa dokładna: SOJ26-24 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Hynix | 4-bit | 4MB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | SOJ26-24 | ||||||||||||
GM71C16403CJ-6
4-bit Memory IC; 4Mb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HYNIX Symbol Producenta: GM71C16403CJ-6 RoHS Obudowa dokładna: SOJ26-24 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Hynix | 4-bit | 4MB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | SOJ26-24 | ||||||||||||
IS42S16800F-7TL ISSI
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA IS42S16800F-7TL-TR
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 16-bit | 128MB | 3V~3,6V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | TFBGA54(8x8) | ||||||||||||
IS42S32800J-6TL
32-bit Memory IC; 8Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 166MHz; 0~70°C; Odpowiednik: IS42S32800J-6TLI#; IS42S32800J-6TLI-TR; IS42S32800J-6TL-TR;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS42S32800J-6TL RoHS Obudowa dokładna: TFBGA96(9x13) |
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 32-bit | 8MB | 3.0~3.6V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | TFBGA96(9x13) | ||||||||||||
IS43TR16128B-125KBL
16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 1066MHz; 0~95°C; Odpowiednik: IS43TR16128B-125KBL-TR;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Integrated Silicon Solution Inc. Symbol Producenta: IS43TR16128B-125KBL RoHS Obudowa dokładna: TFBGA96(9x13) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 160 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 16-bit | 128MB | 1,283~1,45V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 95°C | TFBGA96(9x13) | ||||||||||||
IS45S32400F-7TLA1
32-bit Memory IC; 4Mb-SDRAM; 3,0~3,6V; 143MHz; -40~85°C; Odpowiednik: IS45S32400F-7TLA1-TR;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
43 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 43 Ilość (wielokrotność 1) |
ISSI | 32-bit | 4MB | 3.0~3.6V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 85°C | TFBGA84 | ||||||||||||
NT5CC128M16IP-DI
16-bit Memory IC; 128Mb-SDRAM; 1,283~1,45V; 800MHz; -40~95°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
Nanya | 16-bit | 128MB | 1,283~1,45V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | -40°C ~ 95°C | BGA96 | ||||||||||||
UT51C164JC-35
16-bit Memory IC; 256Kb-DRAM; 4,5~5,5V; 0~70°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
UTC Symbol Producenta: UT51C164JC-35 Obudowa dokładna: SOJ40 |
Stan magazynowy:
357 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 17 Ilość (wielokrotność 1) |
Utron | 16-bit | 256kB | 4,5~5,5V | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | NIE | 0°C ~ 70°C | SOJ40 |