Infrarot-Elemente (Ergebnisse: 532)
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QSE773
Photodiode PIN Chip 940nm 2-Pin Side Looker QSE773E3R0
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SFH 3600
Fototransistor-Chip-Silizium-990-nm-Automobil-2-Pin-MITTEL
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OIO SFH3600
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SFH 3600-3/4
Fototransistor-Chip-Silizium-990-nm-Automobil-2-Pin-MITTEL
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OIO SFH3600-3/4
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TSOP75456TT Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 56,0KHZ 45M
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SFH 3605
Fototransistor-Chip-Silizium-990-nm-Automobil-2-Pin-MITTEL
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OIO SFH3605
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SFH 3605-3/4
Fototransistor-Chip-Silizium-990-nm-Automobil-2-Pin-MITTEL
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OIO SFH3605-3/4
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OIN L-7113SF6BT
IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; Wellenlänge: 860 nm 100 mW; IF=50mA; VF=1,35V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -40°C +85°C
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Rys.L-7113SF6BT
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BPW34FAS
Photodiode PIN Chip 880nm 0.65A/W Sensitivity Automotive AEC-Q101 2-Pin DIL SMT BPW 34 FAS, BPW 34 FASR, BPW 34 FASR-Z, BPW34FAS-R33-Z
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TSOP77338TR Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 38,0KHZ 40M
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K857PH VISHAY
Fotodiode; 4,72 x 4,72 x 0,75 mm; Wellenlänge: 850nm; Abstrahlwinkel: 60° Spannung: 1,25-1,5 V; Betriebstemperatur: -40°C ~ 110°C
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Rys.OIO K857PH
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TSSP6038TR VISHAY
IR-Fernempfänger 38KHz 25m 4-Pin SMD T/R
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Rys.TSSP4P38
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SFH 4247
Infrarot-Emitter 950 nm, 8 mW/sr, rechteckig, oben montiert, 2-polig, SM
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Rys.SFH4247
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G12180-010A HAMAMATSU
Fotodiode; 2,54 mm; Wellenlänge: 1500 nm; Rückspannung: 10 V; Betriebstemperatur: -40 °C bis 100 °C
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Rys.OIO G12180-010A
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PVI-2TE-5-1x1-TO66-wAl2O3-36 VIGO Photonics
Hersteller: VIGO PHOTONICS; THT; Gehäuse: TO8 Wellenlänge: 4400 nm;
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Rys.OIO PVI-2TE-5-1x1-TO66-wAl2O3-36
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TSOP33538 Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 38,0KHZ 45M
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Infrarotdetektor PVMA-1TE-5-1X1-TO39-PSIAR-70
Hersteller: VIGO PHOTONICS; THT; Gehäuse: TO39 Wellenlänge: 4000 nm;
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Rys.OIO PVMA-1TE-5-1x1-TO39-pSiAR-70
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SFH 4250S
Infrarot-Emitter, 860 nm, 30 mW/sr, kreisförmig, oben montiert, für den Automobilbereich
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Rys.SFH4250S
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SFH 4254
Infrarot-Emitter, 850 nm, 7 mW/sr, rechteckig, oben montiert, 2-polig, SM
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OIO SFH4254
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SFH 4350-AWBW
HOCHLEISTUNGS-INFRAROT-STRAHLER (850 NM)
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Rys.SFH4350-AWBW
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SFH 4542
Infrarot-Emitter 950 nm, 230 mW/sr, kreisförmig, rechtwinklig, 2-polig, S
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Rys.SFH4542
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SFH 4543
Infrarot-Emitter, 950 nm, 230 mW/sr, runder, oben montierter 2-Pin-SMR
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Rys.SFH4543
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SFH309FA-4/5 OSRAM
Fototransistor SFH309FA-4/5; Φ4mm; 900 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; 200 mW; 24°; Betriebstemperatur: -40 °C bis 100 °C; schwarz mit IR-Filter;
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Rys.SFH309FA
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SFH310
Phototransistor IR Chip Silicon 890nm 2-Pin T-1
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SFH325FA-3 OSRAM
Fototranzystor SFH325FA-3; napięcie kolektor-emiter 35V; 165mW; temperatura pracy -40°C +100°C; w obudowie P-LCC-2 SFH 325 FA-3-Z
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OIO SFH325FA
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SFH320-3 OSRAM
Fototransistor SFH320; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V 165 mW; Arbeitstemperatur -40 °C +100 °C; im P-LCC-2-Paket;
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PLCC2
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