Infrarot-Elemente (Ergebnisse: 503)
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OIN LTE3271
IR-Emitterdiode rund 5mm; schwarz diffus; Wellenlänge: 940 nm 120 mW; IF=100mA; VF=1,4V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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Rys.LTE3271
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120mW | 50° | 940nm | LITEON | 100mA | 5mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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OIN LTE4238
IR-Emitterdiode rund 5mm; schwarz diffus; Wellenlänge: 880 nm 150 mW; IF=100mA; VF=1,3V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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Rys.LTE4238
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150mW | 20° | 800nm | LITEON | 100mA | 5mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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OIN Tsus5402
IR-Emitterdiode rund 5mm; transparentes Blaugrau; Wellenlänge: 950 nm 210 mW; IF=150mA; VF=2,2V; Arbeitstemperatur -55°C +100°C;
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Rys.TSUS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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OIN Tsha5500
IR-Emitterdiode rund 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 875 nm 210 mW; IF=100mA; VF=1,5V; Arbeitstemperatur -55°C +100°C;
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LED í 5
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TSOP75238TT Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 38,0KHZ 45M
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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OIN LTE306
IR-Emissionsdiode Seitenansicht 3x3x4mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 75 mW; IF=50mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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Rys.LTE306
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75mW | 30° | 940nm | LITEON | 50mA | 3x3x4mm | -40°C ~ 85°C | THT (abgewinkelt) | ||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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KP2012F3C
0805 SMD IR-Emissionsdiode; Wellenlänge: 940 nm Strahlungsintensität: 3,0 mW/sr; IF=20mA; VF=1,2V
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Rys.KP2012F3C
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80mW | 120° | 940nm | KingBright | 50mA | 2x1,25x1mm | -40°C ~ 85°C | SMD | ||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TSOP6233TT Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR REMOTE REC 33.0KHZ 40M
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Rys.TSOP62.., TSOP64..
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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QSE113
No Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker QSE113E3R0
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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VSMB3940X01
PLCC2 SMD IR-Emissionsdiode; Wellenlänge: 940 nm Strahlungsintensität: 13mW/sr; IF=100mA; VF=1,35V
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Rys.HIRCL-190G-4
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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OIN Tsha5202
IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; dichter Bach; 210 mW; 200mA; 5V; Arbeitstemperatur -55°C +100°C;
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LED í 5
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SFH3716
Fototransistoren Lichtsensor ChipLED; 5,5V; 20mA; 3nA; 570 nm; 120°; -40°C - 100°C; SMD/SMT 0805-Gehäuse (2012 metrisch); SFH 3716;
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Rys.SFH3716
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TSOP75236TR Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 36,0KHZ 45M
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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APA3010P3C Kingbright
APA3010P3C Fototransistor; 3x2x1mm; Kollektor-Emitter-Spannung: 30V Betrachtungswinkel: 120°; Leistung: 100 mW; Betriebstemperatur: -40 °C ~ 85 °C
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Rys.OIO APA3010P3C
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SMD | KingBright | -40°C ~ 85°C | 0,1W | Transparent | |||||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TLX9188 TOSHIBA
APA3010P3C Fototransistor; 4,55 x 3,7 x 2,1 mm; Kollektor-Emitter-Spannung: 200V Leistung: 150 mW; Betriebstemperaturen: -40°C~125°C
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Rys.OIO TLX9188
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SMD | Toshiba | -40°C ~ 125°C | 150mW | Schwarz | |||||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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LY A67F-U2AB-36
IR-emittierende Diode; Gelb; Wellenlänge: 590 nm IF=30mA; VF=2,05V; Temperaturen: Arbeit -40°C +100°C
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SFH4050 OSRAM
Sendediode SFH 4050; Wellenlänge 860nm 180 mW; 100mA; 5V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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Rys.SFH4050
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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OSIXCAS1C1A
IR-emittierende DiodeSMD PLCC2; Wasser klar; Wellenlänge: 880 nm 200 mW; 100mA; 1,6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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Rys.OIN OSIXCAS1C1A
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880nm | OPTOSUPPLY | 100mA | SMD PLCC2 | -30°C ~ 85°C | |||||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRM-3636T
IR-Steuerungsempfängermodul, 36 kHz, 14 m, 3-polig
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Rys. IRM-3636T
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35° | 940nm | EVERLIGHT | 0,7mA | -20°C ~ 80°C | THT | ||||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FYL-5024IRCC1A-10
IR-Emitterdiode THT 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 850 nm 40 mW; WENN= 50mA; VF = 1,5 V; Temp. Arbeiten -40°C +85°C
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Rys.OIN FYL-5024IRCC1A-10
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40mW | 10° | 45nm | FORYARD | 50mA | 5mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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KP-1608SF4C Kingbright
IR-Emissionsdiode SMD; Wellenlänge: 880 nm; Betrachtungswinkel: 150° Leistung: 80 mW; IF=50mA; VF= 1,3-1,6V; Arbeitstemperatur: -40°C-85°C
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Rys.OIN.KP-1608SF4C
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80mW | 150° | 880nm | KingBright | 50mA | -40°C ~ 85°C | SMD | |||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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KP-2012SF4C Kingbright
IR-Emissionsdiode SMD; Wellenlänge: 880 nm; Betrachtungswinkel: 120° Leistung: 80 mW; IF=50mA; VF= 1,3-1,6V; Arbeitstemperatur: -40°C-85°C
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Rys.OIN.KP-2012SF4C
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80mW | 120° | 880nm | KingBright | 50mA | -40°C ~ 85°C | SMD | |||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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L-7113F3BT Kingbright
IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wellenlänge: 940 nm; Betrachtungswinkel: 20° Leistung: 80 mW; IF=50mA; VF= 1,2-1,6V; Arbeitstemperatur: -40°C-85°C
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Rys.OIN.L-7113F3BT
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80mW | 20° | 940nm | KingBright | 50mA | 5mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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L-7113SF4C Kingbright
IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wellenlänge: 880 nm; Betrachtungswinkel: 20° Leistung: 80 mW; IF=50mA; VF= 1,3-1,6V; Arbeitstemperatur: -40°C-85°C
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Rys.OIN.L-7113SF4C
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80mW | 20° | 880nm | KingBright | 50mA | 5mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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VSMB294008RG Vishay
IR-Emissionsdiode SMD; Wellenlänge: 940 nm; Betrachtungswinkel: 7° Leistung: 160 mW; IF=100mA; VF= 1,15-1,75V; Arbeitstemperatur: -40°C-85°C
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Rys. OIN VSMB294008RG
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160mW | 7° | 940nm | VISHAY | 100mA | -40°C ~ 85°C | SMD | |||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TSHG6410 Vishay
IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wellenlänge: 850 nm; Betrachtungswinkel: 18° Leistung: 180 mW; IF=100mA; VF= 1,5-1,8V; Arbeitstemperatur: -40°C-85°C
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Rys. OIN TSHG6410
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180mW | 18° | 850nm | VISHAY | 100mA | 5mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TSHA6203-CS21 Vishay
IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wellenlänge: 875 nm; Betrachtungswinkel: 12° Leistung: 180 mW; IF=100mA; VF= 1,5-1,8V; Arbeitstemperatur: -40°C-85°C
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Rys. OIN TSHA6203-CS21
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180mW | 12° | 875nm | VISHAY | 100mA | 5mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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VSMY1850X01 Vishay
IR-Emissionsdiode SMD; Wellenlänge: 850 nm; Betrachtungswinkel: 60° Leistung: 190 mW; IF=100mA; VF= 1,65-1,9V; Arbeitstemperatur: -40°C-85°C
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Rys. OIN VSMY1850X01
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190mW | 60° | 850nm | VISHAY | 100mA | -40°C ~ 85°C | SMD | |||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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VSMA1085250 Vishay
IR-Emissionsdiode SMD; Wellenlänge: 850 nm; Betrachtungswinkel: 28° Leistung: 5,33W; WENN=1,5A; VF= 2,7-3,1V; Arbeitstemperatur: -40°C-125°C
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Rys. OIN VSMA1085250
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5,33W | 28° | 850nm | VISHAY | 1,5A | -40°C ~ 125°C | SMD | |||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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VSMB14940 Vishay
IR-Emissionsdiode SMD; Wellenlänge: 940 nm; Betrachtungswinkel: 9° Leistung: 112 mW; IF=70mA; VF= 1,05-1,5V; Arbeitstemperatur: -40°C-85°C
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Rys. OIN VSMB14940
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112mW | 9° | 940nm | VISHAY | 70mA | -40°C ~ 85°C | SMD | |||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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