Infrarot-Elemente (Ergebnisse: 520)
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PT-IC-BC-3-PE-550
Fototransistor; 3mm; maximal: 550 nm; Linse: blau; Vorderseite: flach; 70mW Fototranzystory
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SFH4855
Sender IR SFH 4855; Wellenlänge: 850 nm; 40 mW; 100mA; 1,7 V; Arbeitstemperatur -40°C +125°C;
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TSOP75456WTT Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 56,0KHZ 30M
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SFH5711-2/3 OSRAM
Sender IR SFH 5711-2/3-Z; Wellenlänge: 555 nm; 6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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TSOP57338TT1 Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 38,0KHZ 40M
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SFH9206-5/6 OSRAM
Sender IR SFH 9206-5/6; Wellenlänge: 940 nm; 100 mW; 50mA; 5V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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VEMT2520X01
Phototransistor Chip Silicon 860nm Automotive 2-Pin SMD
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SMD-2
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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OIN LTE4206
IR-Emitterdiode rund 3mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 90 mW; IF=60mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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Rys.LTE4206
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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OIN LTE3271
IR-Emitterdiode rund 5mm; schwarz diffus; Wellenlänge: 940 nm 120 mW; IF=100mA; VF=1,4V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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Rys.LTE3271
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VEMT3700-GS08 VISHAY
Fototransistor-IR-Chip-Silizium-850-nm-2-Pin-PLCC
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SMD-2
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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OIN LTE4238
IR-Emitterdiode rund 5mm; schwarz diffus; Wellenlänge: 880 nm 150 mW; IF=100mA; VF=1,3V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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Rys.LTE4238
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QSB363ZR
No Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin T-3/4
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TSOP32356 Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 56,0KHZ 45M
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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OIN Tsha5500
IR-Emitterdiode rund 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 875 nm 210 mW; IF=100mA; VF=1,5V; Arbeitstemperatur -55°C +100°C;
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LED í 5
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TSOP75238TT Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 38,0KHZ 45M
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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OIN LTE306
IR-Emissionsdiode Seitenansicht 3x3x4mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 75 mW; IF=50mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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Rys.LTE306
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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KP2012F3C
0805 SMD IR-Emissionsdiode; Wellenlänge: 940 nm Strahlungsintensität: 3,0 mW/sr; IF=20mA; VF=1,2V
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Rys.KP2012F3C
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TSOP6233TT Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR REMOTE REC 33.0KHZ 40M
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Rys.TSOP62.., TSOP64..
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Rys.SFH3710
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QSD123A4R0
No Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 3/4
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VSMB3940X01
PLCC2 SMD IR-Emissionsdiode; Wellenlänge: 940 nm Strahlungsintensität: 13mW/sr; IF=100mA; VF=1,35V
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Rys.HIRCL-190G-4
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QSE122
No Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker
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SFH3716
Fototransistoren Lichtsensor ChipLED; 5,5V; 20mA; 3nA; 570 nm; 120°; -40°C - 100°C; SMD/SMT 0805-Gehäuse (2012 metrisch); SFH 3716;
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Rys.SFH3716
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OIN Tsha5202
IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; dichter Bach; 210 mW; 200mA; 5V; Arbeitstemperatur -55°C +100°C;
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LED í 5
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TSOP75236TR Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 36,0KHZ 45M
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APA3010P3C Kingbright
APA3010P3C Fototransistor; 3x2x1mm; Kollektor-Emitter-Spannung: 30V Betrachtungswinkel: 120°; Leistung: 100 mW; Betriebstemperatur: -40 °C ~ 85 °C
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Rys.OIO APA3010P3C
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TLX9188 TOSHIBA
APA3010P3C Fototransistor; 4,55 x 3,7 x 2,1 mm; Kollektor-Emitter-Spannung: 200V Leistung: 150 mW; Betriebstemperaturen: -40°C~125°C
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Rys.OIO TLX9188
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LY A67F-U2AB-36
IR-emittierende Diode; Gelb; Wellenlänge: 590 nm IF=30mA; VF=2,05V; Temperaturen: Arbeit -40°C +100°C
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Rys. OIN LYA67F-U2AB-36
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304HIRT4B-5CE
IR-Emissionsdiode THT 3mm; klar; Wellenlänge: 880 nm 160 mW; WENN= 100mA; VF = 1,3 V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +85°C
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Rys.OIN 304
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503IRC2E-5AC
IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 160 mW; WENN= 100mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +80°C
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Rys.OIN 503
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