Infrarot-Elemente (Ergebnisse: 506)

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QSD2030F Fotodiode 880 nm schwarz 5 mm
QSD2030F OIO QSD2030F
 
 
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S150PTC-1A Fototransistor 1206 Volt Kollektor-Emitter 30 V, Emitter-Kollektor 5 V 75 mW; Arbeitstemperatur -40 °C +80 °C, Lagerung -40 °C +85 °C
S150PTC-1A Rys.OIO S150
  1206 LUCKYLIGHT -40°C ~ 80°C 75mW Transparent
 
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TSOP38236 Vishay Semiconductor Opto Division SENSOR FERNBEDIENUNG 36,0KHZ 45M Replacement for TSOP31236
TSOP38236 Vishay Semiconductor Opto Division Rys32.1a
 
 
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TSOP75238TR Vishay Semiconductor Opto Division SENSOR FERNBEDIENUNG 38,0KHZ 45M
TSOP75238TR Vishay Semiconductor Opto Division  
 
 
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HSDL-5420#011 Lite-On-Elektronik Fotodiode PIN-Chip 875 nm 0,5 A/W Empfindlichkeit 2-Pin SMT T/R HSDL-5420#011 HSDL5420#011 HSDL-5420-011
HSDL-5420#011 Lite-On-Elektronik SMD-2
  Lite-On
 
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SFH 3600 Fototransistor-Chip-Silizium-990-nm-Automobil-2-Pin-MITTEL
SFH 3600  
 
 
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OIN LD271 IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; Wellenlänge: 950 nm 220 mW; IF=130mA; VF=1,3V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C; Äquivalent: TSAL6400
OIN LD271 Rys.LD271
  220mW 25° 950nm OSRAM 0,13A 5mm -40°C ~ 100°C THT
 
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SFH 3600-3/4 Fototransistor-Chip-Silizium-990-nm-Automobil-2-Pin-MITTEL
SFH 3600-3/4 OIO SFH3600-3/4
 
 
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TSOP75456TT Vishay Semiconductor Opto Division SENSOR FERNBEDIENUNG 56,0KHZ 45M
TSOP75456TT Vishay Semiconductor Opto Division  
 
 
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OIN L-7113SF6BT IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; Wellenlänge: 860 nm 100 mW; IF=50mA; VF=1,35V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -40°C +85°C
OIN L-7113SF6BT Rys.L-7113SF6BT
  100mW 860nm KingBright 50mA 5mm -40°C ~ 85°C THT
 
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SFH 4543 Infrarot-Emitter, 950 nm, 230 mW/sr, runder, oben montierter 2-Pin-SMR
SFH 4543 Rys.SFH4543
 
 
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TSAL6100-AS12Z  
 
 
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TSAL6200-ES21  
 
 
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TSHA5200 Infrarot-Emitter, 875 nm, 500 mW/sr, kreisförmig, oben montiert, 2-polig, T-1 3/4
TSHA5200 LED í 5
 
 
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TSHA5203 Infrarot-Emitter, 875 nm, 800 mW/sr, kreisförmig, oben montiert, 2-polig, T-1 3/4
TSHA5203 LED í 5
 
 
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SFH3204-Z OSRAM Optohalbleiter Kein Fototransistor-Chip Silizium 980 nm 2-Pin-PLCC SFH3204-Z SFH3204-Z
SFH3204-Z OSRAM Optohalbleiter  
 
 
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SFH4053 Emitter IR SFH 4053; Wellenlänge: 860 nm 7mW; 70mA; 1,6 V; Arbeitstemperatur -40°C +85°C;
SFH4053  
 
 
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SFH4253 Sender IR SFH 4253; Wellenlänge: 850 nm 4mW; 70mA; 1,5 V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
SFH4253 Rys.SFH4253
 
 
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SFH3310  
 
 
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SFH4259S Sender SFH 4259S; Wellenlänge: 850 nm 25 mW; 70mA; 3V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
SFH4259S  
 
 
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SFH4557 Emitter IR SFH 4557; Wellenlänge: 860 nm; 25 mW; 100mA; 1,5 V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
SFH4557 Rys.SFH4557
 
 
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SFH4645 Sender IR SFH 4645; Wellenlänge: 950 nm; 25 mW; 100mA; 1,5 V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
SFH4645  
 
 
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TSOP36238TT Vishay Semiconductor Opto Division SENSOR FERNBEDIENUNG 38,0KHZ 45M
TSOP36238TT Vishay Semiconductor Opto Division  
 
 
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TSOP75456WTT Vishay Semiconductor Opto Division SENSOR FERNBEDIENUNG 56,0KHZ 30M
TSOP75456WTT Vishay Semiconductor Opto Division  
 
 
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SFH5711-2/3 OSRAM Sender IR SFH 5711-2/3-Z; Wellenlänge: 555 nm; 6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
SFH5711-2/3 OSRAM  
 
 
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VEMT2520X01 Phototransistor Chip Silicon 860nm Automotive 2-Pin SMD
VEMT2520X01 SMD-2
 
 
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VEMT4700-GS08 Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 2-Pin PLCC
VEMT4700-GS08 SMD-2
 
 
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OIN LTE3271 IR-Emitterdiode rund 5mm; schwarz diffus; Wellenlänge: 940 nm 120 mW; IF=100mA; VF=1,4V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
OIN LTE3271 Rys.LTE3271
  120mW 50° 940nm LITEON 100mA 5mm -40°C ~ 85°C THT
 
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VEMT3700-GS08 VISHAY Fototransistor-IR-Chip-Silizium-850-nm-2-Pin-PLCC
VEMT3700-GS08 VISHAY SMD-2
 
 
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