Infrarot-Elemente (Ergebnisse: 492)
| Produkt | Warenkorb |
Optische Leistung
|
Gehäuse
|
Öffnungswinkel
|
Wellenlänge (Bereich)
|
Hersteller
|
Wellenlänge
|
Durchmesser
|
Leuchtwinkel
|
Vorwärtsstrom
|
Größe
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Betriebstemperatur
|
Leistung
|
Montage
|
Versorgungsspannungsbereich
|
Versorgungsstrom
|
Gehäusefarbe
|
Erkennungsabstand
|
Wellenfrequenz
|
Farbe
|
Vorwärtsspannung [UF]
|
Helligkeit
|
Vorwärtsspannung (Bereich)
|
Ausgangsstrom
|
Marke
|
Spannung
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SFH4256
Emitter IR SFH 4256; Wellenlänge: 860 nm 6,3 mW; 70mA; 2,4 V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Rys.SFH4256
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
SFH4259
Emitter IR SFH 4259; Wellenlänge: 850 nm 25 mW; 100mA; 1,5 V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Rys.SFH4259
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
SFH4557
Emitter IR SFH 4557; Wellenlänge: 860 nm; 25 mW; 100mA; 1,5 V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
Rys.SFH4557
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
SFH4645
Sender IR SFH 4645; Wellenlänge: 950 nm; 25 mW; 100mA; 1,5 V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
TSOP36238TT Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 38,0KHZ 45M
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
SFH4656
Emitter IR SFH 4656; Wellenlänge: 850 nm; 16 mW; 70mA; 1,6 V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
TSOP75456WTT Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 56,0KHZ 30M
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
SFH5711-2/3 OSRAM
Sender IR SFH 5711-2/3-Z; Wellenlänge: 555 nm; 6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
TSOP57338TT1 Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 38,0KHZ 40M
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
VEMT2520X01
Phototransistor Chip Silicon 860nm Automotive 2-Pin SMD
|
||||||||||||||||||||||||||||
SMD-2
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
OIN LTE4206
IR-Emitterdiode rund 3mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 90 mW; IF=60mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
|
||||||||||||||||||||||||||||
Rys.LTE4206
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
90mW | 20° | Lite-On | 940nm | 60mA | 3mm | -40°C ~ 85°C | THT | |||||||||||||||||||
|
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-06-30
Anzahl der Stücke: 1000
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
VEMT2500X01
Fototransistor-Chip-Silizium; 860 nm; 20V; 50mA; 30°; 100 mW; -40 °C bis 100 °C; 2-Pin-SMD für den Automobilbereich;
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
SMD-2
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
OIN LTE3271
IR-Emitterdiode rund 5mm; schwarz diffus; Wellenlänge: 940 nm 120 mW; IF=100mA; VF=1,4V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
|
||||||||||||||||||||||||||||
Rys.LTE3271
|
120mW | 50° | LITEON | 940nm | 100mA | 5mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
OIN LTE4238
IR-Emitterdiode rund 5mm; schwarz diffus; Wellenlänge: 880 nm 150 mW; IF=100mA; VF=1,3V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
|
||||||||||||||||||||||||||||
Rys.LTE4238
|
150mW | 20° | LITEON | 800nm | 100mA | 5mm | -40°C ~ 85°C | THT | ||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
QSB363ZR
No Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin T-3/4
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
OIN Tsus5402
IR-Emitterdiode rund 5mm; transparentes Blaugrau; Wellenlänge: 950 nm 210 mW; IF=150mA; VF=2,2V; Arbeitstemperatur -55°C +100°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
Rys.TSUS
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
OIN Tsha5500
IR-Emitterdiode rund 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 875 nm 210 mW; IF=100mA; VF=1,5V; Arbeitstemperatur -55°C +100°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
LED í 5
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
TSOP75238TT Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 38,0KHZ 45M
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
HIR7373C
IR-emittierende Diode; Wellenlänge: 850 nm Strahlungsintensität: 7,8 mW/sr; IF=100mA; VF=1,45V
|
||||||||||||||||||||||||||||
LED í 5
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-06-14
Anzahl der Stücke: 500
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
OIN LTE306
IR-Emissionsdiode Seitenansicht 3x3x4mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 75 mW; IF=50mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
|
||||||||||||||||||||||||||||
Rys.LTE306
|
75mW | 30° | LITEON | 940nm | 50mA | 3x3x4mm | -40°C ~ 85°C | THT (abgewinkelt) | ||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
KP2012F3C
0805 SMD IR-Emissionsdiode; Wellenlänge: 940 nm Strahlungsintensität: 3,0 mW/sr; IF=20mA; VF=1,2V
|
||||||||||||||||||||||||||||
Rys.KP2012F3C
|
80mW | 120° | KingBright | 940nm | 50mA | 2x1,25x1mm | -40°C ~ 85°C | SMD | ||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
TSOP6233TT Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR REMOTE REC 33.0KHZ 40M
|
||||||||||||||||||||||||||||
Rys.TSOP62.., TSOP64..
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
QSE113
No Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker QSE113E3R0
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
VSMB3940X01
PLCC2 SMD IR-Emissionsdiode; Wellenlänge: 940 nm Strahlungsintensität: 13mW/sr; IF=100mA; VF=1,35V
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
Rys.HIRCL-190G-4
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
OIN Tsha5202
IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; dichter Bach; 210 mW; 200mA; 5V; Arbeitstemperatur -55°C +100°C;
|
||||||||||||||||||||||||||||
LED í 5
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
SFH3716
Fototransistoren Lichtsensor ChipLED; 5,5V; 20mA; 3nA; 570 nm; 120°; -40°C - 100°C; SMD/SMT 0805-Gehäuse (2012 metrisch); SFH 3716;
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
Rys.SFH3716
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
TSOP75236TR Vishay Semiconductor Opto Division
SENSOR FERNBEDIENUNG 36,0KHZ 45M
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
APA3010P3C Kingbright
APA3010P3C Fototransistor; 3x2x1mm; Kollektor-Emitter-Spannung: 30V Betrachtungswinkel: 120°; Leistung: 100 mW; Betriebstemperatur: -40 °C ~ 85 °C
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
Rys.OIO APA3010P3C
|
SMD | KingBright | -40°C ~ 85°C | 0,1W | Transparent | |||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
TLX9188 TOSHIBA
APA3010P3C Fototransistor; 4,55 x 3,7 x 2,1 mm; Kollektor-Emitter-Spannung: 200V Leistung: 150 mW; Betriebstemperaturen: -40°C~125°C
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
Rys.OIO TLX9188
|
SMD | Toshiba | -40°C ~ 125°C | 150mW | Schwarz | |||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||||