2N7000

Symbol Micros: T2N7000 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 6Ohm; 200mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7000-LGE;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS Gehäuse: TO92 Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1560 0,0624 0,0364 0,0302 0,0284
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
1100 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1560 0,0624 0,0364 0,0302 0,0284
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole