2N7000 DIOTEC

Symbol Micros: T2N7000 DIOTEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
5500 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,1781 0,0711 0,0413 0,0342 0,0324
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7000 Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0324
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000 Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
42322 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0707
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole