2N7000 ZEHUA

Symbol Micros: T2N7000 ZEH
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,3Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: ZEHUA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 5,3Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: ZEHUA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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