2N7000 ZEHUA

Symbol Micros: T2N7000 ZEH
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,3Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: ZEHUA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ZEHUA Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1483 0,0593 0,0344 0,0288 0,0269
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 5,3Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: ZEHUA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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