2N7002-7-F
Symbol Micros:
T2N7002
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 210mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-13-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 13,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 210mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 540mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 13,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 210mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 540mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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