2N7002H6327XTSA2 Infineon
Symbol Micros:
T2N7002h
Gehäuse: SOT23t/r
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: 2N7002H6327XTSA2 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
15000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1959 | 0,0931 | 0,0522 | 0,0397 | 0,0356 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: 2N7002H6327XTSA2 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2910 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1959 | 0,0931 | 0,0522 | 0,0397 | 0,0356 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: 2N7002H6327XTSA2
Gehäuse: SOT23t/r
Externes Lager:
84000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0356 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: 2N7002H6327XTSA2
Gehäuse: SOT23t/r
Externes Lager:
183000 stk.
| Anzahl Stück | 18000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0356 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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| Anzahl Stück | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,0570 | 0,0213 | 0,0114 | 0,0085 | 0,0079 |
Standard-Verpackung: 3000
Menge (Vielfache 1)
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