2N7002LT1G

Symbol Micros: T2N7002 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002LT3G (10.000 Stück/T&R); 2N7002LT1H; 2N7002LT7G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
5395 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1083 0,0496 0,0270 0,0202 0,0180
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
8430980 stk.
Anzahl Stück 27000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0180
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002LT3G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
1910000 stk.
Anzahl Stück 30000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0180
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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