BC807-25 JGSEMI

Symbol Micros: TBC80725 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP-Transistor; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC807-25,215; BC807-25,235; BC807-25LT1G; BC807-25LT3G; BC807-25E6327; BC807-25E6433; BC807-25 RFG; BC807-25-7-F; BC807-25-TP;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BC807-25 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0553 0,0206 0,0111 0,0083 0,0076
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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