BC817-25 JGSEMI

Symbol Micros: TBC81725 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN-Transistor; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25LT1G; BC817-25LT3G; BC817-25 RFG; BC817-25-7-F; BC817-25-TP;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: JG Technology Hersteller-Teilenummer: BC817-25 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0564 0,0211 0,0113 0,0084 0,0078
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BC817-25 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0564 0,0211 0,0113 0,0084 0,0078
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: JGSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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