BCP5616TA
Symbol Micros:
TBCP5616 DIO
Gehäuse: SOT223
Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 2W |
| Hersteller: | DIODES |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-06-19
Anzahl Stück: 1000
| Verlustleistung: | 2W |
| Hersteller: | DIODES |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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