BCP5616TA

Symbol Micros: TBCP5616 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCP5616TA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
5900 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2764 0,1339 0,0918 0,0816 0,0788
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCP5616TA Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
232000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0788
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN