Widerstand im offenen Kanal:
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10Ohm |
Max. Drainstrom:
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130mA |
Maximaler Leistungsverlust:
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225mW |
Gehäuse:
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SOT23 |
Hersteller:
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NXP |
Max. Drain-Source Spannung:
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50V |
Transistor-Typ:
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P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung:
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20V |
Betriebstemperatur (Bereich):
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-55°C ~ 150°C |
Montage:
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SMD |
Ausführliche Beschreibung
Der BSS84 ist ein hochwertiger P-Kanal-MOSFET-Transistor, der für den Einsatz in elektronischen Schaltungen konzipiert ist, die effizientes Schalten und Verstärken von Signalen erfordern. Er zeichnet sich durch eine niedrige Schwellenspannung und einen minimalen Leckstrom aus, was einen effizienten und stabilen Betrieb gewährleistet.
Wichtige Merkmale und Funktionen des Transistors BSS84
Der Transistor bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von bis zu 50 V, einen Drainstrom von bis zu 0,13 A sowie einen niedrigen RDS(on)-Widerstand, was zu hoher Energieeffizienz führt. Dank seines kompakten SOT-23-Gehäuses und guter thermischer Eigenschaften ist er einfach zu montieren und eignet sich für vielfältige elektronische Anwendungen.
Typische Anwendungen des Transistors BSS84
Das Produkt findet Anwendung in Schaltkreisen, Signalverstärkern, Schaltnetzteilen sowie Steuerungsmodulen in industriellen und konsumerorientierten Geräten.
Dank seiner Zuverlässigkeit und soliden Eigenschaften ist der BSS84 eine ausgezeichnete Wahl für Projekte, die einen effizienten P-Kanal-MOSFET-Transistor erfordern. Entdecken Sie unser Angebot und wählen Sie die ideale Komponente für Ihre Anforderungen.
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR / DIOTEC / FAIRCHILD / DIODES
Transistortyp: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Spannung Drain-Source: -50V
Drainstrom: 130mA
Leistung: 225mW
Gehäuse: SOT23
Montage: SMD