BSS84-7-F

Symbol Micros: TBSS84 DIODES
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84-7-F; BSS84-13-F;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Max. Drainstrom: 130mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84-7-F RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2602 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1217 0,0559 0,0305 0,0227 0,0203
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84-7-F Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0303
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Max. Drainstrom: 130mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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