BSS84-7-F

Symbol Micros: TBSS84 DIODES
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84-7-F; BSS84-13-F;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84-7-F RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
13382 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1364 0,0626 0,0341 0,0255 0,0227
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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