HIRFZ44NPBF HXY MOSFET
Symbol Micros:
TIRFZ44n HXY
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 60A; 120W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFZ44PBF; IRFZ44PBF-BE3; IRFZ44NPBF; SP001565354;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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