HIRFZ44NPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRFZ44n HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 60A; 120W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFZ44PBF; IRFZ44PBF-BE3; IRFZ44NPBF; SP001565354;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: HIRFZ44NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 150+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,6234 0,3929 0,3082 0,2847 0,2705
Standard-Verpackung:
50/150
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT