IRFZ44N

Symbol Micros: TIRFZ44n
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Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 17,5 mOhm; 49A; 94W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44NPBF; IRFZ 44 NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17,5mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ44N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
7958 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6554 0,4149 0,3277 0,2994 0,2853
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Standard-Verpackung:
50/1000
Widerstand im offenen Kanal: 17,5mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT
Ausführliche Beschreibung

Der Transistor IRFZ44N

Der Transistor IRFZ44N ist für die Durchsteckmontage vorgesehen. Er ist im beliebten TO220-Dreibein-Gehäuse eingekapselt. Der angereicherte N-Typ-Kanal macht ihn zum beliebtesten MOSFET-Typ. IRFZ44N-Transistors eignen sich für Signalverstärkung Schaltungen von ±20V (Gate-Source-Betriebsspannung). Die zulässige Drain-Strombelastung beträgt 49A bei Standardbedingungen. Dabei ist die Verlustleistung (bis zu 94W bei 25°C) zu berücksichtigen. Diese Erwärmung bewirkt, dass der Betriebsstrom des IRFZ44N-Transistors bei höheren Umgebungstemperaturen abnimmt (35A bei 100°C).

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