IRFZ44NPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRFZ44n JSM
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFZ44PBF; IRFZ44PBF-BE3; IRFZ44NPBF; SP001565354;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 358W
Max. Drainstrom: 110A
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRFZ44 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
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Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5733 0,3629 0,2867 0,2612 0,2497
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50
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-08-07
Anzahl Stück: 150
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 358W
Max. Drainstrom: 110A
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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