IRF3710PBF-CN CHIPNOBO
Symbol Micros:
TIRF3710 CNB
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | CHIPNOBO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | CHIPNOBO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole