IRF3710PBF JSMICRO

Name: TIRF3710 JSM TIRF3710 JSM
Brand: JSMicro Semiconductor
SKU: TIRF3710JSM
Price: 0.3991 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF3710 JSM

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	21mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9186	0,5809	0,4581	0,4180	0,3991

Widerstand im offenen Kanal:	21mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1265	0,8265	0,6636	0,5691	0,5361

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1265	0,8265	0,6636	0,5691	0,5361

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7651	0,4818	0,3755	0,3566	0,3330