IRF3710PBF UMW

Symbol Micros: TIRF3710 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7413 0,4703 0,3707 0,3382 0,3220
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT