IRF640NPBF

Symbol Micros: TIRF640n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF640NPBF; IRF 640N; IRF 640 N PBF; IRF640N;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6693	0,4247	0,3347	0,3047	0,2908

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2908

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF 640 N PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

240 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2908

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

217200 stk.

Anzahl Stück	500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2908

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

92900 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2908

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2730 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5164

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6947	0,4362	0,3416	0,3231	0,3023

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6739	0,4224	0,3323	0,3139	0,2931