IRF640NPBF

Symbol Micros: TIRF640n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF640NPBF; IRF 640N; IRF 640 N PBF; IRF640N;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Max. Drainstrom:	18A
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6702	0,4253	0,3351	0,3051	0,2912

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2912

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

38900 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2912

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

124400 stk.

Anzahl Stück	500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2912

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Max. Drainstrom:	18A
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6957	0,4368	0,3421	0,3236	0,3028

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6749	0,4229	0,3328	0,3143	0,2935