IRF640NPBF

Name: TIRF640n TIRF640n
Brand: Infineon
SKU: TIRF640n
Price: 0.3261 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF640n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF640NPBF; IRF 640N; IRF 640 N PBF; IRF640N;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7491	0,4702	0,3686	0,3474	0,3261

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF 640 N PBF Gehäuse: TO220

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340 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3261

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

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845 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3261

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

33300 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3261

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-04-24

Anzahl Stück: 200

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-06-30

Anzahl Stück: 1000

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8648	0,5482	0,4324	0,3923	0,3757

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7231	0,4584	0,3615	0,3285	0,3143