IRF640NPBF

Symbol Micros: TIRF640n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF640NPBF; IRF 640N; IRF 640 N PBF; IRF640N;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5934	0,3560	0,2730	0,2445	0,2369

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

68 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5934	0,3560	0,2730	0,2445	0,2369

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3045 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2408

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

118290 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2559

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

60700 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2455

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7144	0,4486	0,3513	0,3323	0,3109

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6931	0,4344	0,3418	0,3228	0,3014

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8687	0,5507	0,4344	0,3940	0,3774