IRF640NPBF HXY MOSFET

Name: TIRF640n HXY TIRF640n HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: TIRF640nHXY
Price: 0.2985 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF640n HXY

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	145mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRF640NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

73 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6864	0,4302	0,3385	0,3197	0,2985

Widerstand im offenen Kanal:	145mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7616	0,4819	0,3808	0,3479	0,3314

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7193	0,4560	0,3596	0,3267	0,3126