IRF640NPBF JSMICRO

Name: TIRF640n JSM TIRF640n JSM
Brand: JSMicro Semiconductor
SKU: TIRF640nJSM
Price: 0.4088 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF640n JSM

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF640PBF; IRF640NPBF; SP001570078;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF640N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

70 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,8596	0,6307	0,5045	0,4344	0,4088

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7568	0,4788	0,3784	0,3457	0,3293

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7731	0,4858	0,3807	0,3597	0,3363

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7848	0,4975	0,3924	0,3574	0,3410

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7474	0,4695	0,3667	0,3457	0,3247

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7311	0,4625	0,3644	0,3317	0,3177