IRF7319TRPBF

Symbol Micros: TIRF7319
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5 A/4,9 A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7319TRBBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
1636 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7686 0,4866 0,3831 0,3502 0,3338
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Standard-Verpackung:
4000
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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