IRF7319TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRF7319 JGS
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Gehäuse: SOP08
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N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm/55mOhm; 7A/6,5A; 2,5 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRF7319PBF; IRF7319TRPBF; SP001555176; SP001563414;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRF7319TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
220 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4413 0,2676 0,2052 0,1850 0,1761
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: SMD

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