IRFB4110

Name: TIRFB4110 TIRFB4110
Brand: Infineon
SKU: TIRFB4110
Price: 1.0206 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFB4110

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4110PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4110 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

5 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,5740	1,1032	0,8816	0,8401	0,8286

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,5740	1,1032	0,8816	0,8401	0,8286

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1860 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,3630

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

10673 stk.

Anzahl Stück	200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,0206

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2450 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,9958

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0132	0,6739	0,5193	0,5031	0,4824

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1355	0,8678	0,7178	0,6278	0,5978

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1794	0,9001	0,7455	0,6532	0,6208