IRFB4110

Name: TIRFB4110 TIRFB4110
Brand: Infineon
SKU: TIRFB4110
Price: 2.5841 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFB4110

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4110PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,6146	1,1317	0,9044	0,8618	0,8499

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4110 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

110 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,6146	1,1317	0,9044	0,8618	0,8499

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

54 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,5841

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9623

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

373 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8499

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,3447	0,9423	0,7529	0,7316	0,7079

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1648	0,8902	0,7363	0,6440	0,6132

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2098	0,9233	0,7647	0,6700	0,6369