IRFB4110

Name: TIRFB4110 TIRFB4110
Brand: Infineon
SKU: TIRFB4110
Price: 0.8393 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFB4110

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4110PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4110 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

105 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,5944	1,1174	0,8930	0,8509	0,8393

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,5944	1,1174	0,8930	0,8509	0,8393

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3800 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,8393

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

5 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	2,5926

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

820 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,0459

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0263	0,6826	0,5260	0,5096	0,4886

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1502	0,8790	0,7270	0,6359	0,6055

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1946	0,9117	0,7551	0,6616	0,6289