IRFB4110
Symbol Micros:
TIRFB4110
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4110PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4110 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6115 | 1,1294 | 0,9026 | 0,8601 | 0,8483 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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