IRFB4110

Symbol Micros: TIRFB4110

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4110PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	2,5878

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1610 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,6060

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

4173 stk.

Anzahl Stück	200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,0485

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2027-01-31

Anzahl Stück: 500

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2975	0,9092	0,7264	0,7059	0,6830

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1239	0,8589	0,7105	0,6214	0,5917

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1673	0,8909	0,7379	0,6465	0,6145

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0029	0,6670	0,5140	0,4980	0,4774