IRFB4110PBF-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRFB4110 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4mOhm; 180A; 214W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF-CN RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0263 0,6826 0,5260 0,5096 0,4886
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT