IRFB4110PBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRFB4110 MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF-ML RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1474 0,8768 0,7253 0,6343 0,6040
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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