IRLML2502TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML2502 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Max. Drainstrom: 6A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Max. Drainstrom: 6A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD