IRLML2502TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRLML2502 JGS
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-09-25
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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