IRLR024N

Symbol Micros: TIRLR024n
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR024NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
870 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5895 0,3734 0,2936 0,2677 0,2560
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Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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